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氮化镓自支撑衬底

氮化镓自支撑衬底 氮化镓自支撑衬底是利用公司多年研发的氢化物气相外延技术（HVPE）和化合物半导体加工技术生产出的高品质单晶基板，其特点是结晶质量高、均匀性好、表面质量优越。

氮化镓自支撑衬底是利用公司多年研发的氢化物气相外延技术（HVPE）和化合物半导体加工技术生产出的高品质单晶基板，其特点是结晶质量高、均匀性好、表面质量优越。

2英寸自支撑衬底
种类	非掺U-GaN 衬底	掺Si导电型	掺Fe半绝缘型
尺寸	50.8 ± 1 mm	50.8 ± 1 mm	50.8 ± 1 mm
厚度	350 ± 25 μm 400 ± 25 μm	350 ± 25 μm 400 ± 25 μm	350 ± 25 μm 400 ± 25 μm
阻值(300K)		< 0.05 Ω·cm	>1.0E8 Ω·cm
TTV	≤ 15 μm（2“）
BOW	≤ 20 μm（2“）
Ga 面表面粗糙度	< 0.2 nm (polished)
有效面积	> 90%
缺陷密度	<9.9x10⁵ cm^-2

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